TPS1120DR
- 型号
- TPS1120DR
- 制造商
- Texas Instruments
- 描述
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 数据表
-
TPS1120DR.pdf
- 所属分类
- 家庭
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 系列
- -
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规格
| Part Status |
Active |
| FET Type |
2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature |
Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C |
1.17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
5.45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Power - Max |
840mW |
| Operating Temperature |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package |
8-SOIC |
| Shipment |
UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Condtion |
New original factory. |
- 发送邮件
-
ldx1688@szdsddz.com or 在线查询
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